Activities

Wide-Band-Gap Power Device Based Electrical Traction: Potentialities, Challenges and Limitations(2015/7/21午後 福岡工業大学)

2015/07/30

【科目種別】電気エネルギー講座Ⅱ(英語科目)
【H27/7 テーマ】マグネティクス/スピントロにクス及び電力スマートグリッド技術

■講 師: Dr. Alberto Castellazzi
■ご所属: University of Nottingham(ノッティンガム大学 電気電子工学科 英国)
■演 題: Wide-Band-Gap Power Device Based Electrical Traction: Potentialities, Challenges and Limitations

■日 時: 平成 27年 7月 21 日 (火) 16:20-17:50
■場 所: 福岡工業大学 本部棟1階 Cultivation Site R2教室

■主 催: 福岡工業大学 大学院工学研究科

■概要
  Wide-band-gap (WBG) power devices, such as Silicon-Carbide (SiC)MOSFETs and Gallium-Nitride (GaN) HEMTs, have the potential to outperform Silicon (Si) transistors in various power conversion applications. This talk will discuss the benefits which can be drawn by the use of this technology in electrical traction systems. It will review state-of-the-art performance and limitations and discuss the technological advancements and the enabling research efforts required to ensure full exploitation of the potential assets of WBG technology.

【学生の関わり様】
 受講生3名と教員2名からの質問があり,質問に関連した討論が質問者と講師の間で行われた。講義は予定時間通りに終了したが,講義後に活発な討論が行われ,講義時間を30分ほど超過する事態となった。主な討論内容は,電気自動車等への応用に関すること,汎用インバータに適用する際に期待される効果,機械工学の視点からの研究内容の関わり,など多岐にわたった。
Page Top