高電圧パルス発生のための半導体パワースイッチング (2018/3/7 熊本大学)
2018/03/12
高電圧パルス発生のための半導体パワースイッチング
■日時:平成 30年 3月 7日(水) 9:00〜12:00
■場所:熊本大学黒髪南地区 共用棟黒髪3, 516ミーティング室
※遠隔配信なし
■講師:佐久川 貴志 (熊本大学)
上野 崇寿 (大分工業高等専門学校)
・パルスパワー発生に用いる半導体スイッチの使い方
・PICマイコンによるシステム制御
・計測実習・デバイス評価
■主催:熊本大学パルスパワー科学研究所
■概要
ディスクリート型パワーデバイス(IGBT,パワーMOSFET)を用いたパルスパワー発生回路について安全に使用する方法を解説する。パワーデバイスを高電圧・高di/dtの極限状態で使用する際の注意点や回路技術を詳述する。ゲート駆動回路の設計法や磁気スイッチとの併用方法についても解説する。さらにPIC等のマイコンを用いた全体のシステム制御事例を紹介する。 ※添付資料参照
■学生の関わり様■
前半は座学で上記講義を行った。後半は実際の回路を動作させてスイッチングの評価の実習を行った。実習時には講師以外の参加者と様々なディスカッションがあった。