文部科学省大学間連携共同教育推進事業「未来像を自ら描く電気エネルギー分野における実践的人材の育成」
Wide-Band-Gap Power Device Based Electrical Traction: Potentialities, Challenges and Limitations [7月21日（火）午後：福岡工業大学]
2015/06/25
【科目種別】電気エネルギー講座Ⅱ（英語科目）
【H27/7 テーマ】マグネティクス/スピントロにクス及び電力スマートグリッド技術
■講 師： Dr. Alberto Castellazzi
■ご所属： University of Nottingham（ノッティンガム大学 電気電子工学科 英国）
■演 題： Wide-Band-Gap Power Device Based Electrical Traction: Potentialities, Challenges and Limitations
■日 時： 平成 27年 7月 ２1 日 (火) 16:20-17:50
■場 所： 福岡工業大学 本部棟1階 Cultivation Site R2教室
http://www.fit.ac.jp/shisetsu/campus/map/index
■主 催： 福岡工業大学 大学院工学研究科
■申込/お問合せ： 福岡工業大学大学院事務室 master[at]fit.ac.jp
■概要
Wide-band-gap (WBG) power devices, such as Silicon-Carbide (SiC)MOSFETs and Gallium-Nitride (GaN) HEMTs, have the potential to outperform Silicon (Si) transistors in various power conversion applications. This talk will discuss the benefits which can be drawn by the use of this technology in electrical traction systems. It will review state-of-the-art performance and limitations and discuss the technological advancements and the enabling research efforts required to ensure full exploitation of the potential assets of WBG technology.
【H27/7 テーマ】マグネティクス/スピントロにクス及び電力スマートグリッド技術
■講 師： Dr. Alberto Castellazzi
■ご所属： University of Nottingham（ノッティンガム大学 電気電子工学科 英国）
■演 題： Wide-Band-Gap Power Device Based Electrical Traction: Potentialities, Challenges and Limitations
■日 時： 平成 27年 7月 ２1 日 (火) 16:20-17:50
■場 所： 福岡工業大学 本部棟1階 Cultivation Site R2教室
http://www.fit.ac.jp/shisetsu/campus/map/index
■主 催： 福岡工業大学 大学院工学研究科
■申込/お問合せ： 福岡工業大学大学院事務室 master[at]fit.ac.jp
■概要
Wide-band-gap (WBG) power devices, such as Silicon-Carbide (SiC)MOSFETs and Gallium-Nitride (GaN) HEMTs, have the potential to outperform Silicon (Si) transistors in various power conversion applications. This talk will discuss the benefits which can be drawn by the use of this technology in electrical traction systems. It will review state-of-the-art performance and limitations and discuss the technological advancements and the enabling research efforts required to ensure full exploitation of the potential assets of WBG technology.
