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低温ポリシリコンTFT(Thin Film Transistor)のための有効な結晶化 [8月4日(火)福岡工業大学]

2020/08/05

【科目種別】電気エネルギーシステム工学特論Ⅰ(日本語科目)

■講師:野口 隆 氏
(ご所属)琉球大学 名誉教授

■演題:低温ポリシリコンTFT(Thin Film Transistor)のための有効な結晶化

■日時:令和2年8月4日(火)16:30 〜 18:00

■場所:Zoomでのオンライン講義

■主催:福岡工業大学大学院

■共催:大学間連携共同教育プログラム

■申込/お問合せ:福岡工業大学大学院事務室
電話:092-606-6996 E-mail:master@fit.ac.jp

■概要:スマホ、PC、TVなど、パネル上に薄膜トランジスタ(TFT)が搭載されたディスプレイが盛んにつかわれている。高性能TFT作製のためのエキシマレーザアニール(ELA)、および小型で安定な青色半導体レーザを用いたレーザアニール結晶化に関して述べる。ガラス上の薄いSi膜にパルスやCWモードのレーザビーム照射を行うことで、高性能な多結晶(ポリ)Si膜が得られ、有効な結晶化が可能となる。TFT作製においては、レーザ照射、高品質で低温製膜、膜構造の工夫により、フレキシブルなシート上にも高性能な素子形成が可能となる。TFTのソース、ドレイン電極形成においては、高価なイオン注入、及び高温の活性化アニールを用いないで、メタルショットキー接触構造の採用により、より低温、低コストでTFT素子形成が可能となる。今後、ガラス上のみでなくフレキシブルなシート上にもTFTやセンサなどの機能素子搭載、集積化が期待される。

■学生の関わり様:ポリシリコンを使った薄膜トランジスタの基礎的な内容から応用分野までジョークを交え講義をしていただいた。講義後の質疑応答ではフレキシブル状態でのTFTの構造に関する質問,ビーム出力と表面状態変化に関する質問,ガラス上のシリコン薄膜において発光が困難な理由に関する質問があり,講師の先生から丁寧に学生に回答していただいた。Zoomを使ったオンライン講義ではあったが,大きなトラブルもなく無事に終了した。
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